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课题组已毕了天下首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延滋长偏激三维架构的异质集成，并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管（2D FinFET）。该原创性使命龙套了后摩尔期间高速低功耗芯片的二维半导体/高κ栅介质精确合成与新架构三维异质集成瓶颈，为诞生往时先进芯片期间带来新机遇。联系商榷后果以“2D fin field-effect transistors integrated with epitaxial high-κ gate oxide”为题，发表于《当然》杂志（Nature 2023， 616， 66-72），入选2023年度中国半导体十大科学发挥。

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